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供应德国Phystech RH2030霍尔效应测试仪器、RH2030霍尔效应测试仪器参数、价格

产品信息
德国PhysTech RH2030霍尔效应测试仪器,可进行常温或液氮温度的变磁场霍尔效应测试仪器实验。采用探针或引线两种方式测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数,。

 

1.

设备名称:

霍尔效应测试仪

2.

功能描述:

测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3.

技术参数:

3-1

测试范围:

Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3-2

磁场:

3-2-1

磁场强度:

1T 电磁体

3-2-2

磁场类型:

电磁体

3-2-3

磁场均匀性:

磁场不均匀性<±1 %

10年内磁场变化<±0.2%

3-3

    度:

3-3-1

温度区域:

77K(液氮温度或室温

3-4

电阻率范围:

1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm

3-5

电阻范围:

0.1 m Ohms ~10 G Ohms

3-6

载流子浓度:

107~1021cm-3

3-7

迁移率:

10-2~107 cm2/volt*sec

3-8

输入电流:

3-8-1

电流范围:

1000 pA~10mA

3-8-2

电流解析度:

2.5 pA (lowest range)

3-8-3

电流精度:

2%

3-9

输入电压:

3-9-1

电压范围:

±10V

3-9-2

电压分辨率:

1μV

 

 

 

4.

仪器特点:

4-1

Automatic or manual current selection

自动或手动模式电流控制磁场模式

4-2

Automatic contact check

自动接触检查欧姆接触

4-3

Routine and enhanced software

常规和增强软件

4-4

Differential resistivity measurements by I/V-curves

I/V曲线测试电阻率差异

4-5

Variable magnetic field

变磁场

4-6

Misalignment voltage compensation

失调电压补偿

4-7

Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,

修正慢样品漂移电压,特别是氧化锌

4-8

Automatic field calibration

自动现场标定

4-9

Large concentration and resistivity range

大浓度和电阻率范围

4-10

Flexible, modular hardware

灵活的模块化硬件

4-11

Support of various magnets, for example BioRad HL 5200

支持多样磁场

4-12

Support of various temperature controllers

支持各种温度控制器支持客户自行升级变温系统

4-13

Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples

支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔


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