TFL 142-1 AE 00/1W 原装进口FANAL温控器TFL 142-1 AE 00/1W
- 型号：TFL 142-1 AE 00/1W
- 供应商：北京志鸿恒拓科技有限公司
- 供应商报价：面议
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德国FANAL压力开关，当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrentz）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德国FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系
德国FANAL压力开关，当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrentz）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德国FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系
德国FANAL压力开关，当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrentz）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德国FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系
德国FANAL压力开关，当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrentz）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德国FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系
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fanal TFL 142-3 AE 00/1W
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德国FANAL压力开关，当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrentz）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德国FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系
