雪崩光电二极管阵列（APD阵列）
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产品库
雪崩光电二极管阵列（APD阵列）
该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达（LIDAR）系统和激光测距仪而设计，包含线性与矩阵阵列，在单片冲模上配置多个传感器，如8像素、16像素或64像素等。
特性
· 在900nm波段范围内具有快速上升时间
· 在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
· 可有效降低偏置水平
· 低温度系数
· 活性表面直径达5毫米
多元阵列
技术规格和PDF数据图表
型号 | 芯片 | 封装 | 有源元件 | 量子效率 (QE) |
501099 | 8AA0.4-9 | SOJ22GL | 8 | > 80 % at 760-910 nm with NTC |
501098 | 16AA0.13-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % at 760-910 nm with NTC |
501097 | 16AA0.4-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % at 760-910 nm |
501207 | QA4000-9 | TO8Si | 4 | > 80 % at 760-910 nm |
50117401 | QA4000-10 | TO8Si | 4 | High QE at 850-1070 nm |
501585 | QA4000-10 | TO8S | 4 | High QE at 850-1070 nm |
评估板
技术规格和PDF数据图表
型号 | 芯片 | 封装 | 有源元件 |
50156801 | 16AA0.4-9 | PCBA | 16 |
