FT838MBD专用成熟方案充电器

FT838MBD专用成熟方案充电器

FT838MBD

1、GX率 ≥78.7% @115V/230V；
2、低待机功耗 ＜120mW；
3、输出纹波噪音低 ＜80mV；
4、内置MOS，DIP8封装，IC温升低，外围元件少，成本低；
5、在五级能效标准基础上有充足的效率余量；

特色概述:FT838MBD专用成熟方案充电器

　　 全电压输入范围(90Vac~264Vac)

　　 GX率

　　 Efficiency ≥ 78.65% @115Vac/230Vac

　　 低待机功耗

　　 < 120mW

　　 输出纹波噪音低

　　 <80mV

　　 输出短路保护

　　 输出过流保护

　　 的容性负载启机特性

　　 在5 级能效标准基础上有充足的效率余量

　　 内置功率MOS，DIP-8 封装，IC 温升低;外围元件简洁，成本低。

FT839NB

1、GX率，可满足六级能效标准；
2、低待机功耗＜80mW@264Vac；
3、输出CV/CC精度 ＜±5%；
4、内置NPN，外围元件少，系统成本低；
5、保护功能齐全，可靠性好；
6、满足EN55022 ClassB EMI要求；

FT839MB

1、GX率，可满足六级能效标准；
2、低待机功耗＜80mW@264Vac；
3、输出CV/CC精度 ＜±5%；
4、内置MOS，SOP-8，外围元件少，系统成本低；
5、保护功能齐全，可靠性好；
6、满足EN55022 ClassB EMI要求；