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GP-200 加热型台式涂膜机/实验型加热涂布机//锂离子电池涂布机

产品信息

加热型台式涂膜机/实验型加热涂布机//锂离子电池涂布机   型号:GP-200

本产品广泛用于各种高温涂膜研究,例如陶瓷类薄膜、晶体类薄膜、电池材料薄膜、特殊纳米薄膜;能够适应未来高温条件下成膜的科学技术的发展。

一、 加热型台式涂膜机/实验型加热涂布机//锂离子电池涂布机   型号:GP-200主要特点:

1、强风加热和数字显示温度控制的烘干系统,Z高工作温度200℃;
2、涂膜速度在0~100mm/秒范围内可调,并且带数字显示;
3、真空铝盘,可快速放置或取下极片;
4、带调整涂膜厚度(精度0.02mm)宽度0-140mm的刮刀;

二、   型号:GP-200技术参数:

1、涂抹速度:0~100mm/秒;
2、Z大行程:220mm;
3、真空板 :带真空铝平板 ;
4、真空板尺寸:365mm(L)×200mm(W)×30mm(H);
5、刮刀可调范围:0.02~2
6、加热烘干系统:室温~200℃,数显温度控制器,精度±1℃
7、重量:45KG
8、电源:220V ±10%







剪切扩张两用钳/剪切扩张钳 型号:DP-GYJK-36.8~42.720-3

一种工具同时具备剪切、扩张和牵拉功能。此多功能钳的功能相当于一台剪断器和一台扩张器。

应用范围:

交通事故救援 地震等灾害救援 意外事故救援

适合机动式救援操作

撬门及使金属结构变形

切断金属结构、车辆部件、管道及金属板

特点:

刀具采用可重磨的高强度合金工具钢制造

剪切防崩溅与自动复位手控转向阀,为操纵者提供安全保证

手控阀操作可使刀片的张开闭合处于任何位置,且具有自锁功能

张开闭合耗时短,加速救援进程

主要技术参数

项目                                  参数

剪刀端部Z大开口距离               ≥350 mm

额定工作压力                   63Mpa(630.000bar)

Z大剪断能力                     15 mm(钢板) 

(Q235材料)                   ф28mm(圆钢)

额定扩张力                     32 KN (3.2吨)

质量                                 ≤14 kg

尺寸:长×宽×高                760×210×170mm  






微型高速万能粉碎机 万能粉碎机 粉碎机 型号:DP-WWFS-Ⅱ

该机可用于破碎煤炭、焦炭、矿物质、土壤、砂、石和植物种子。适用于煤炭、焦化、地质、医药卫生、农业、工业的科研单位和化验制样室制取少量试样用。


二、主要技术指标


转子转速:210000r/min


入料粒度:-6mm


出料粒度:≤60-120


每次入料量:≤50g


粉碎时间:3-5秒


电源:220V 50HZ

三、该产品特点


1、转速高:≥10000转/分


2、效率高:50g物料仅需要3-5秒便可完成粉碎,即简便又快速。


3、密封性好;工作中没有被粉碎的物料泄漏,使工作环境保持清洁。


4、性能稳定:可连续工作,使用寿命长。







半导体粉末电阻率测试仪/粉末电阻率测试仪 型号:DP-FZ-2006

本仪器是为了适应当前迅速发展中的高分子半导电纳米材料电阻率测试需要,参照有关国际标准设计的。 仪器的电流输出为 10 µA - 100 mA ,电阻率测试范围为 10 -2 - 10 5 Ω cm ,直接采用数字显示。仪器的可靠性和

稳定性大大增强,更方便于用户, 而且价格低廉、实惠。配置不同的测试架可以对半导体粉末、高分子纳米粉末和固态金属进行电阻、电阻率多用途的测量。

适用于有机、无机半导体粉末材料(包括纳米级)的电阻率测量, 也可以测量固体半导体材料,特别适合于太阳能多晶硅、硅粉质量的测量、分选和质量控制. 电阻率值直接数字显示由具有高精度加压系统, 高度测量的测试台和仪器组成.

仪器主要包括电气箱和测试架两部分,电气测试部分由高精度直流数字电压表和直流恒定电流源组成。测试架为压力传感器,加压机构和粉末标准容器组成。压力机构采用手动操作、压力平稳。本仪器具有测量精度高,稳定性好,重复性好,使用方便等特点, 并有自校功能。

本仪器采用国际通用的电流-电压降法即四端子测量法,可以消除电极与粉末接触产生的接触电阻误差,还可以消除联接系统所带来的误差,克服了以往传统的二端测量粉末电阻率仪器的弊病,真实、准确地测量出粉末样品的电阻率,因此重复性好。

本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门、是检验和分析固态、粉态和纳米样品质量的一种重要工具。

技术参数;

  1. 测量范围:
    • 电阻 10-4 - 105 Ω, 分辨率 10-4 Ω
    • 电阻率 10-4 - 105 Ω.cm,分辨率 10-4 Ω.cm

测量误差 ±(0.3% 读数 + 2 字)

  1. 测量电压量程:20mV, 200mV, 2V,分辨率 10 µV
    测量精度: ±(0.3% 读数 + 2 字)
  2. 测量电流:0 - 100 mA 连续可调,
    电流量程:10 µA, 100 µA, 1 mA, 10 mA, 100mA
  3. 试样粒度:40 目以下 - 60 目以上(标准筛网)纳米粉末
  4. 试样容器:内腔Φ16.30 ± 0.1mm
  5. 试样高度:16mm ± 0.5mm
    测量误差:±0.1mm
  6. 取样压力:4 Mpa ± 0.05 Mpa ( 40 kg/cm² ± 0.5 kg/cm²)
    压力量程:0 - 100 kg 可调
  7. 显示方式: 电阻、电阻率、压力为 3 1/2 数字显示,并自动显示单位和小数点
  8. 电源:220 ± 10% , 50HZ-60HZ, 功率消耗 < 150W 消耗
  9. 外形尺寸电气箱:440mm×120mm×320mm
  10. 备有粉末测试架和固态标准样品测试台供选用 





半导体电阻率测试仪/电阻率测试仪/半导体电阻率测定仪(含探头和测试架) 型号:DP-BD-86A

DP-BD-86A型半导体电阻率测试仪是我厂推出的Z新的普及型半导体电阻率测试仪器,本仪器是根据四探针原理,适合半导体器材厂,材料厂用于测量半导体材料(片状、棒状)的体电阻率,方块电阻(簿层电阻),也可以用作测量金属薄层电阻,经过对用户、半导体厂测试的调查,根据美国ASTM标准的规定,在电路和探头方面作了重大的修改和技术上的许多突破,它更适合于半导体器材厂工艺检测方面对中值、高阻硅、锗材料方块电阻和体电阻率的测量需要,成为普及型的电阻率测试仪,具有测量精度高,稳定性好,输入阻抗高,使用方便、价格低廉等特点。

   仪器主要技术指标:

1.  测量范围:电阻率10-3—103Ω-cm,分辩率为 10-4Ω-cm ,可扩展到105Ω-cm

  方块电阻10-2—104Ω/□,分辩率为10-3Ω/□,可扩展到106Ω/□

薄层金属电阻10-4—105Ω,分辩率为10-4Ω

2.可测半导体材料尺寸:直径Φ15—Φ125mm;  长度:150mm(可扩展500mm)

     3.测量方式:轴向、断面均可

4.数字电压表:(1)量程:20mV(分辩率:10μV)、200mV、2V

             (2)测量误差:±0.3%读数±1字

             (3)输入阻抗:大于108Ω

             (4)显示3 1/2 位红色发光二极管(LED)数字显示

                  0---1999具有极性、过载、小数点、单位自动显示

5.恒流源:由交流供电,具有良好的防泄漏隔离功能

(1)       直流电流:0—100mA连续可调

(2)       量程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

(3)       分辩率:10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA

(4)       电流误差:±0.3%读数±2字

6.电性能模拟考核误差:<±0.3%符合ASTM指标

7.测试探头:(1)探针机械游移率:± 0.3% 符合ASTM 指标

8.电源:交流220V±10%   50HZ或60HZ  功率消耗< 30W

9.电气箱外形尺寸:119×440×320mm



注:产品详细介绍资料和上面显示产品图片是相对应的

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