ES45 ES45保护膜/GE保护膜ES45

外壳类型

A

B

C

mm

in

mm

in

mm

in

类型2

30

1.18

59

2.32

45

1.69

类型3

20

0.79

43

1.77

25

0.98

类型

订购号码

D

f

N

备注

mm

in

(MHz)

mm

in

B1S

57744

24

0.94

1

23

0.9

B1S-EN

500035

24

0.94

1

23

0.9

符合 DIN EN 12668-2

B1S-O

57755

24

0.94

1

23

0.9

顶端接口

B2S

57745

24

0.94

2

45

1.8

B2S-EN

500036

24

0.94

2

45

1.8

符合 DIN EN 12668-2

B2S-O

57756

24

0.94

2

45

1.8

顶端接口

B2S-O-EN

500267

24

0.94

2

45

1.8

符合 DIN EN 12668-2

顶端接口

B4S

57746

24

0.94

4

88

3.5

B4S-EN

500037

24

0.94

4

88

3.5

符合 DIN EN 12668-2

B4S-O

57757

24

0.94

4

88

3.5

顶端接口

B4S-O-EN

500268

24

0.94

4

88

3.5

符合 DIN EN 12668-2

顶端接口

B5S

57747

24

0.94

5

110

4.3

MB2S

57748

10

0.39

2

8

0.3

MB2S-EN

500038

10

0.39

2

8

0.3

符合 DIN EN 12668-2

MB2S-O

57975

10

0.39

2

8

0.3

顶端接口

MB4S

57749

10

0.39

4

16

0.6

MB4S-EN

500039

10

0.39

4

16

0.6

符合 DIN EN 12668-2

MB4S-O

57976

10

0.39

4

16

0.6

顶端接口

MB5S

57750

10

0.39

5

20

0.8

MB5S-O

57977

10

0.39

5

20

0.8

顶端接口

描述

类型

备注

保护膜

（1套=10片）

ES45(53756)

ES24(53769)

用于B..S;

用于MS..S

延迟块或斜块

特殊订单

如用于高温检测

电缆线

PKLL2(50326)

MPKL2(50486)

用于B..S;

用于MS..S

晶片尺寸

A

B

C

mm

in

mm

in

mm

in

mm

in

13

0.5

19.1

0.75

30.5

1.2

23.9

0.94

19

0.75

25.4

1

30.5

1.2

30.2

1.19

25

1

31.8

1.25

30.5

1.2

36.6

1.44

频率

晶片尺寸Ø

订购号码

频率

晶片尺寸Ø

订购号码

(MHz)

mm

in

Gamma 系列PFCR

Gamma 系列PFCR

(MHz)

mm

in

Gamma 系列PFCR

Gamma 系列PFCR

1

13

0.5

241-240

241-260

3.5

13

0.5

243-240

243-260

19

0.75

251-240

251-260

19

0.75

253-240

253-260

25

1

261-240

261-260

25

1

263-240

263-260

2.25

13

0.5

242-240

242-260

5

13

0.5

244-240

244-260

19

0.75

252-240

252-260

19

0.75

254-240

254-260

25

1

262-240

262-260

25

1

264-240

264-260

套装类型

订购号码

探头晶片尺寸Ø

.5in

.75in

1.00in

(13mm)

(19mm)

(25mm)

PM

118-450-120

118-450-140

118-450-160

PWC

118-450-220

118-450-240

118-450-260

PHTD-1.0in(25.4mm)延迟块

118-450-320

118-450-340

118-450-260

PHTD-1.5in(38.1mm)延迟块

118-450-420

118-450-440

118-450-460

订购号码

探头晶片尺寸Ø

.5in

.75in

1.00in

(13mm)

(19mm)

(25mm)

保护膜 每包12片

118-220-020

118-220-021

118-220-022

耐磨帽 每包12个

118-240-123

118-240-122

118-240-121

高温延迟块*长1.0in(25.4mm)

118-440-027

118-440-031

118-440-035

高温延迟块*长1.5in(38.1mm)

118-440-029

118-440-033

118-440-037

BNC 电缆线

118-140-016

保护膜，耐磨帽 以及延迟块 耦合剂

118-300-740

性能参数

解释

晶片尺寸 D 或 a×b

探头晶片的直径D或长度×宽度a×b。它的尺寸大小对声波的传输有极大的影响。轻微的偏差，如形状的偏差,或粘接不良造成的位置偏差而产生的声能衰减，即使是利用参考缺陷进行标定,都将产生严重的评估误差。

标称频率f

所有相同类型探头的均值频率，频率对反射体的评定有极大的影响。对斜反射体，频率甚至影响声场波形和反射特性。随着频率的增加，非垂直反射体对声束的反射回波减小。这就是为什么每一个探头都要由我们的质量控制部门根据鉴定标准进行严格检测，以确定其频率是否与标称频率相一致，保证在一定的误差范围内。这个数据输入到探头的数据参数表。

带宽B

脉冲回波的幅值比Z高幅值下降   dB之间的频率范围。B=fo-fu/fx    fo=幅值下降  dB的上限频率，fu=幅值下降   dB的下限频率，f为标称频率。例如，当B=，一个4MHz的探头的fo为6MHz，而fu为2MHz。大的带宽意味着更短的脉冲回波，也就意味着高的分辨率和更好的穿透能力，因为低频脉冲比标称频率脉冲的衰减小。在高衰减情形下，与标称频率相比，随着距离的增加，反射信号的频率减小。这一点在进行缺陷评估时必须要加以考虑。因此每一个探头的带宽都要进行检查，并且与所有探头的平均值相一致，保证在一定的误差范围内。

焦距F

F：小缺陷产生Z大回波时探头到小缺陷的距离。探头要进行聚焦以便探测小缺陷并得到Z大的回波
幅值，只有在探头的近场才可能聚焦。

近场长度N

近场长度N是非聚焦探头的焦距长度，它是声轴线上能得到声压极大值的Z远距离。N的大小由D、c和f来决定。由于D>>λ，所以：N=Deff/4λ=Deffxf/4c其中λ为波长，c为声速，Deff是单元有效直径焦点处和近场长度处声能Z为集中，反射体Z易识别。因此重要测试场合一般预期缺陷在焦距或近场长度处。表中的数据对钢材而言，而水浸探头为水。

焦点直径FD

在焦距或近场长度附近，声压值比主声轴下降  dB处到主声轴的距离

脉冲形状

来自于平面反射面的信号表述。

频谱

回波脉冲中所有频率的显示，频率幅值在频率上显示。

声束角度β

主声束与检测面法线之间的夹角