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YQ-DHIP-1 YQ-DHIP-1射频ICP薄膜沉积装置

产品信息
射频ICP薄膜沉积装置

型号:YQ-DHIP-1
货号:ZH5495


  本装置主要由薄膜沉积室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统等部分组成。

  通过本实验装置可以掌握CVD(化学气相沉积);理解CVD的成膜过程及要求,化学输运反应的原理,等离子体CVD的原理、特点及等离子体的激励方式;了解该技术在电学、光学、微电子学等领域的广阔应用前景。

可开设的实验

1、P型微晶硅材料及在薄膜太阳能电池上的应用;

2、硅系纳米复合薄膜材料PCVD法制备;

3、电容耦合/电感耦合等离子体化学气相沉积制备各种功能薄膜。

主要技术参数

1、薄膜沉积室:由不锈钢底与玻璃钟罩组成;有效尺寸:Φ220×H230mm;

2、薄膜沉积室本底真空: ≤1Pa;

3、射频耦合方式:电容耦合/电感耦合;射频源功率:带500W  13.56MHz;

4、气路系统:由三路转子流量计控制(可选配质量流量计);

5、衬底加热温度:室温至300℃可控;

6、平行板电极:Φ70mm;

7、工作反应气体:由电极板上微孔均匀导入;

8、真空抽气系统:2XZ-4型旋片机械泵,4L/S,单相220V交流电源供电;

9、管道、阀门:材质使用不锈钢和金属波纹管;

10、对过流过压、断路等异常情况进行报警,并执行相应保护措施;

11、供电电源:AC220V,50Hz,整机功率2KW。

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