产品库

C35 GTO缓冲吸收电容器 cGTO缓冲吸收电容器

产品信息
C35 GTO缓冲吸收电容器
型号规格价格(元)尺寸(mm)引出
C350.47vF/5000V50Φ53*L50M6
价格仅供参考,以报价单为准。
主要应用/Application
广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流,高压场合。
Widely used in GTO snubber,high current and high voltage application.
产品特点/Characteristics
电介质:聚丙烯薄膜
结构:金属化膜内串结构
封装:外包阻燃迈拉胶带,阻燃(94V-0级)环氧封装
引出: M6或M8铜螺母引出
能承受大电流,高电压
低损耗、高稳定
具有自愈性
Dielectric:Polypropylene film
Construction:Metalized film internal series connection
Coating:Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution(UL94V-0)
Terminals:Copper nut leads,threaded insert M5,M6 or M8
High current,high voltage
Low losses,high stability
Self healing
技术性能/Specifications
引用标准/Reference standardsGB/T 17702 IEC 61071
工作温度范围/Operating temperature range-40℃~85℃
容量范围/Capacitance0.33μF~3.0μF
额定电压/Rated Voltage4000Vdc~10 000Vdc
容量偏差/Tolerance±5% ±10%
极间耐电压/Test voltage between terminals1.5Ur(Vdc)10s 25℃±5℃
极壳耐电压/Test voltage between terminals and case3000V 50Hz 60s,25℃±5℃
损耗角正切/Dissipation factortgδ≤8×10-4 at 25℃±5℃,1kHz
绝缘电阻/Insulation resistanceC×R≥30000s,at 100Vdc,25℃±5℃,60s
预期寿命/Life expectancy200000h at Ur and 70℃
此产品关键字:
IGBT吸收电容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收电容厂家、IGBT吸收电容价格
华裕电容-高品质金属化薄膜电容专业制造商
全国免费:
销售热线(直线):


http://www.hy-el.com http://www.gdhyel.com
信息声明:本产品供应信息由仪器网为您整合,供应商为(广东华裕电子有限公司),内容包括 (C35 GTO缓冲吸收电容器 cGTO缓冲吸收电容器)的品牌、型号、技术参数、详细介绍等;如果您想了解更多关于 (C35 GTO缓冲吸收电容器 cGTO缓冲吸收电容器)的信息,请直接联系供应商,给供应商留言!
供应商产品推荐
    您可能感兴趣的产品