产品展示 DP-RTS-9 双电测四探针测试仪/四探针测试仪/四探针检测仪_详细资料

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	测量范围		电阻率：10^-4～10⁵ Ω.cm（可扩展）；方块电阻：10^-3～10⁶ Ω/□（可扩展）；电导率：10^-5～10⁴ s/cm；电阻：10^-4～10⁵ Ω；
	可测晶片厚度		≤3mm
	可测晶片直径		140mmX150mm（配S-2A型测试台）； 200mmX200mm（配S-2B型测试台）； 400mmX500mm（配S-2C型测试台）；
	恒流源		电流量程分为1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调
	数字电压表		量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　分辨力：10μV；输入阻抗：>1000MΩ；精度：±0.1% ；显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；
	四探针探头基本指标		间距：1±0.01mm；针间绝缘电阻：≥1000MΩ；机械游移率：≤0.3%；探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿（总力）；
	四探针探头应用参数		（见探头附带的合格证）
	模拟电阻测量相对误差（按JJG508-87进行）		0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
	整机测量Z大相对误差		（用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试）≤±4%
	整机测量标准不确定度		≤4%
	计算机通讯接口		并口
	标准使用环境		温度：23±2℃；相对湿度：≤65%；无高频干扰；无强光直射；