| 品Pai | 尼塞拉 | 型号 | RE200B |
| 种类 | 温度 | 材料 | 混合物 |
| 材料物理性质 | 半导体 | 材料晶体结构 | 多晶 |
| 制作工艺 | CMOS工艺 | 输出信号 | 开关型 |
| 防护等级 | 1 | 线性度 | 1（%F.S.） |
| 迟滞 | 1（%F.S.） | 重复性 | 1（%F.S.） |
| 灵敏度 | 1 | 漂移 | 1 |
| 分辨率 | 1 | | |
产品说明：双元热释电红外传感器 RE200B灵敏元面积 2.0×1.0mm2基片材料 硅基片厚度 0.5mm工作波长 7-14μm平均透过率 ＞75%输出信号 ＞2.5V(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)噪声 ＜200mV(mVp-p) (25℃)平衡度 ＜20%工作电压 2.2-15V工作电流 8.5-24μA(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)源极电压 0.4-1.1V(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)工作温度 -20℃- +70℃保存温度 -35℃- +80℃视场 139°×126°说明 该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法YZ温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。使用 1、上述特性指标是在源极电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到光学设计。3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚产品说明：双元热释电红外传感器 RE200B灵敏元面积 2.0×1.0mm2基片材料 硅基片厚度 0.5mm工作波长 7-14μm平均透过率 ＞75%输出信号 ＞2.5V(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)噪声 ＜200mV(mVp-p) (25℃)平衡度 ＜20%工作电压 2.2-15V工作电流 8.5-24μA(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)源极电压 0.4-1.1V(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)工作温度 -20℃- +70℃保存温度 -35℃- +80℃视场 139°×126°说明 该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法YZ温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。使用 1、上述特性指标是在源极电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到光学设计。3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚
