产品库

机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼

产品信息
  • 产品名称
    中文名称: 机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼
    英文名称:Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2
     
    性质
    形态:薄膜
    参数
    基底:二氧化硅
    基底尺寸:10 mmx10 mm
    MOS2面积: >10 µm2
     
    应用
    先丰纳米ZX推出机械剥离制备的二硫化钼,相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料,该类材料具有缺陷少,优异的光学性质,可以研究层数和荧光效应,此外,由于保持了原有晶格结构,所以该类材料是制备器件的理想材料。
     
    其他信息
    详情请发邮件至:sale@xfnano.com
     
    温馨提示:不可用于临床ZL。
  • 信息声明:本产品供应信息由仪器网为您整合,供应商为(南京先丰纳米材料科技有限公司),内容包括 (机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼)的品牌、型号、技术参数、详细介绍等;如果您想了解更多关于 (机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼)的信息,请直接联系供应商,给供应商留言!
    供应商产品推荐
      您可能感兴趣的产品