DL51-PM-LAS 双轴硅微加速度传感器 单轴硅微加速度传感器

双轴硅微加速度传感器 单轴硅微加速度传感器  的详细介绍

DL51-PM-LAS单、双轴加速度传感器用于测量加速度的传感器。它采用MEMS技术芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测（Self-Test）功能，可实现BIT（Built-In-Test）检测。本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
　2．技术条件 型号PM-LASⅠ注①PM-LASⅡ
轴数单双
供电要求
供电电压（Vdc）5±5％
输入电流（mA）<3<5
性能参数
测量范围（g）±25注②±10注③
零g偏置电压（V）+2.5±0.2+2.5±0.2注④
输出灵敏度（mV／ｇ）76100
非线性度（％FR）<0.2<0.2
分辨力（g）10×10-35×10-3
带宽（KHZ,max）15
噪声密度（mg/）10.5
自检测（Self-Test）
ST输入电压（V）+5+5
输出响应（V,敏感轴向）2.65～3.22.1∽2.7
启动时间（ms）160
工作环境
使用温度（℃）-40～+85
耐加速度
任意轴,不供电,0.5ms（g）2000
任意轴,供电,0.5ms（g）500
重量体积
重量（g）﹤35
体积（mm3）25x22x14或28×28×15.5（指单双轴）

注: ①PM-LAS加速度传感器代号PM-LAS后的Ⅰ、Ⅱ分别表示：Ⅰ—表示单轴；Ⅱ—表示双轴。
②单轴加速度传感器可选用范围：±3g、±5g、±10g、±12g、±25g、±50g、±100g和 ±250g;
③双轴加速度传感器可选用范围：±1.7g、±2g、±5g、±10g、±25g、±50g。
④指无外界加速度时，输出电压标准值，该值在确定的环境条件下应是确定值。