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供应仙童Fairchild FDG6303N 场效应管 MOSFET

产品信息

  • 晶体管极性:ñ频道
  • 电流, Id 连续: 500mA
  • 电压, Vds zui大: 25V
  • 在电阻RDS（上）: 340mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 800mV
  • 功耗, Pd: 300mW
  • 封装类型: SC-70
  • 针脚数: 6
  • SVHC（高度关注物质）: No SVHC （19-Dec-2011）
  • 功耗: 300mW
  • 封装类型: SC-70
  • 漏极电流, Id zui大值: 500mA
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 25V
  • 电压, Vgs zui高: 800mV
  • 表面安装器件: 表面安装
信息声明：本产品供应信息由仪器网为您整合，供应商为（深圳市佰昇电子有限公司），内容包括 （供应仙童Fairchild FDG6303N 场效应管 MOSFET）的品牌、型号、技术参数、详细介绍等；如果您想了解更多关于 （供应仙童Fairchild FDG6303N 场效应管 MOSFET）的信息，请直接联系供应商，给供应商留言！
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