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IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件雪崩测试仪

产品信息
IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件雪崩测试仪



电压频率:50Hz±1Hz



环境温度:15~40℃



工作湿度:温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。



温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。



大气压力: 86Kpa~106Kpa



海拔高度:不超过3000米。



尺    寸:800x800x1800mm



质    量:210KG



工作电压:AC220V±10%无严重谐波



系统功耗:320W



通信接口:USB RS232


IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件雪崩测试仪技术指标

配置


测试范围


测试参数


条件


范围


电压


1000V


IGBTs


绝缘栅双极型晶体管


EAS/单脉冲雪崩能量


VCE


20V-4500V


20-100V±3%±1V


100-1000V±3%±5V


1000-4500V±3%±10V


电流


200A


MOSFETs


MOS场效应管


EAR/重复脉冲雪崩能量


Ic


1mA-200A


1mA-100mA±3%±0.1mA


100mA-2A±3%±5mA


2A-200A±3%±50mA


 


DIODEs


二极管


IAS/单脉冲雪崩电流


Ea


1J-2000J


1J-100J±3%±1J


100J-500J±3%±5J


500J-2000J±3%±10J


 


 


PAS/单脉冲雪崩功率


IC检测


50mV/A(取决于传感器)


 


 


 


感性负载


10mH、20mH、40mH、80mH、100mH


 


 


 


重复间隙时间


1-60s可调(步进1s)重复次数:1-50次



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