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FIB聚焦离子束芯片的电路修改 断面切割透射电镜样品制备

产品信息


FIB聚焦离子束芯片的电路修改 断面切割透射电镜样品制备芯片电路设计



主要用途


芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。





性能参数

a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV

- 离子束：500V~30kV

b)Z小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV

- 离子束：2.5nm/30kV

c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积





应用范围

1.定点切割

2.穿透式电子显微镜试片

3.IC线路修补和布局验证

4.制程上异常观察分析

5.晶相特性观察分析

6.故障位置定位用被动电压反差分析


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