兴宁多功能等离子体表面处理系统AutoGlow专业快速
- 产地:河北 邢台市
- 供应商:河北德科机械科技有限公司
- 供应商报价: 5.00¥
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1、兴宁JX1157多功能宽密度等离子体ICPJX1158专业快速
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| 型号:JX1157 | 型号:JX1158多功能宽密度等离子体ICP |
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全自动多功能等离子表面处理系统应用于小型及研发实验室的使用和发展历史已经超过了20年,随着研发提升及软硬件更新,现在的系统不但拥有使用的高稳定性和GX率外,其集成化设计和友好操作界面使得用户上手操作及参数调整都非常简易。
其客户群已经超过了3000多套,遍布欧美各大的微纳米加工实验室及化学生物实验室,包括莱斯大学,麻省理工学院,哈佛大学,尤利希ZX,法国生物化学与生物分子研究ZX,法国应用光学研究所,德国生物技术研究所,德国航空航天研究所,德国马普所,英国工程实验室等等。
射频等离子体是Z广泛使用和通用性好的等离子体技术,它应用于YL和半导体的宽广领域内。在通用工业/YL行业,需要清洁、涂覆或化学改性的材料表面被浸入到射频等离子体的能量环境中,除了射频等离子体的强烈的化学作用外,其定向效应也起到了一个重要的作用。携带动量的粒子到达材料表面后可以物理地去除更加化学惰性的表面沉淀物(如金属氧化物和其它无机物沉淀)以及交联聚合物以锁定等离子体的处理。
AutoGlow—高纯度石英样品室和石英样品托,3个气体流量质量,150mm基底尺寸,13.56 MHz射频激发等离子体可变功率从10到300W,全自动协调校准,压读,氮气清洗,CE认证标识。电容耦合的,只需按一个按钮便可全自动操作整个处理流程。使用在等离子清洁,键合前处理包括活化胺化产生团, 刻蚀薄膜,去除有机物,光刻胶灰化等。桌面紧凑式设计,可在10W功率运行。AutoGlow 200—可以处理200mm基底(8寸晶圆),和反应离子刻蚀RIE(可选ICP电感耦合等离子体源)和等离子体处理。3个气体流量质量–氧气,氩气或化气体(CF4或SF6), 13.56 MHz射频激发等离子体可变功率从10到600W,全自动协调校准,,压读,氮气清洗,CE认证标识,高品质铝样品室。使用在等离子清洁,键合前处理包括活化胺化产生团, 刻蚀薄膜,去除有机物,光刻胶灰化等。桌面紧凑式设计,可在10W功率运行。具有观察窗用来监控OES发射和处理终点检测。

设备用途及特点:
1. 高真空高密度平板电感耦合等离子体系统,由平板电感耦合等离子体源、磁控溅射系统、等离子体沉积腔室、进样室、隔断阀门、送样机构、电源及控制系统和真空系统组成。平板式电感耦合等离子体源配备平板式电感天线、低频大功率射频发生器、半自动射频调谐匹配网络。等离子体沉积腔室配备电感耦合等离子体源,4个磁控靶位,出厂前初步安装2支磁控靶。进样室配备样品库、样品辉光清晰靶及样品传递机构。主要用于等离子体辅助化学气相沉积(CVD)、等离子体辅助磁控溅射沉积、薄膜制备与处理、高密度等离子体刻蚀、表面等离子体改性、晶片清洗等。
2. 样品台1套,基片台可电动旋转、可加热、可升降。
3. 配备可开关观察窗,方便用户观察及取样品。
4. 由于采用了超高真空密封技术,极限真空度高,沉积室可进入10-5Pa量级(≤5×10-5Pa),可保证更高的镀膜纯净度,提高镀膜质量。
5. 配装手动高真空插板阀、手动角阀、电脑复合真空计。
6. 设备真空系统采用分子泵+机械泵真空机组。
7. 超高真空密封主要采用如下技术:玻璃金属技术、陶瓷金属技术、刀口无氧铜金属密封技术等,整机主要采用金属密封技术,前开门用胶圈,真空管路用不锈钢金属波纹管路(不用橡胶管路),采用高真空阀门。
运动部件的密封,采用磁力耦合传动密封技术。
真空规用金属规,密封口用刀口金属密封结构。
系统自动监控和保护功能强,包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护等。
设备工作条件及性能技术指标
1. 高密度等离子体:电子密度能达到1013 cm-3。
2. 气体先驱物离化率:1-10%。
3. 电感耦合离子体电源发生器频率从0.5-4 MHz可调,功率可从0-5000 W调节。
4. 电感天线有椭圆和圆形两种方案,相应等离子源石英窗口形状也有椭圆和圆形两种方案,相应等离子体放电模式也有电感和电容模式两种方案,用户可根据用途选择。等离子体源石英窗口大小可根据用户要求进行调节。
5. 设备极限真空度:5.0×10-5Pa(等离子体沉积腔室)。5.0×10-1Pa进样室
6. 设备总体漏放率:关机12小时后,真空度≤10Pa。
7. 从大气到抽到≤7×10-4Pa,小于45min(新设备充干燥氮气),提高了工作效率。
8. 样品台可旋转,速度:0~25转/分 可控可调。(样品台尺寸¢200mm)
9. 基片尺寸¢6英寸(根据用户需要可变)。
10. 样品台加热器温度:室温~500&plun1℃。温度可控可调。
11. 基片升降距离0~100mm可调。
12. 配备2支¢3英寸磁控靶,其中一支可镀铁磁材料,磁控靶可伸缩。
13. 磁控溅射靶电源:射频源 500W、13.56MHz;直流溅射电源,500W。
14. 缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护。
15. 供电:~380V三相供电系统(容量7KW),水循环量1M3/H,工作环境温度10℃~35℃,水温度18℃~25℃。
16. 设备占用面积12M2(设备安装面积4M×)。
17. 进样室上方开个窗口(玻璃橡胶圈密封):¢500px。
18. 沉积室抽气口在底部,样品架的两边抽气,这样比较有利于薄膜的均匀沉积。