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818 校准光电二极管传感器

产品信息


818 校准光电二极管传感器

NIST 可追踪 818 系列光电二极管传感器可通过可拆卸衰减器在较宽的功率范围内进行精确的功率测量。




  • NIST 可追踪校准具有比同类产品具有更好的不确定度


  • 10 mm 通光孔径衰减器设计已改进


  • 可拆卸校准模块


  • 波长范围为 200-1800 nm


  • 可移动校准 OD3 衰减器


818 校准光电二极管传感器

产品规格








型号

 

818-UV/DB

 

818-SL/DB

 

818-IR/DB

 

818-IG/DB

感光尺寸

Ø11.3 mm

Ø11.3 mm

Ø3 mm

Ø3 mm

材料

UV Enhanced Silicon

Silicon

Germanium

Indium Gallium Arsenide

光谱范围

200 - 1100 nm

400 - 1100 nm

780 - 1800 nm

800 - 1650 nm

大可测量功率

0.2 W (200 - 400 nm); 50 mW (400 - 1100 nm)

2.0 W

2.0 W (1830-R, 1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 W (843-R, 1919-R, 841-PE-USB)

2.0 W (1830-R, 1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 W (843-R, 1919-R, 841-PE-USB)

大可测量功率(无衰减器)

0.3 mW (200 - 400 nm); 0.1 mW (400 - 600 nm, >1050 nm) , 0.07 mW (600 - 1050 nm)

4 mW with 1830-R and 1936-R, 2.5 mW with 843-R, 1919-R, and 841-PE-USB

10 mW (1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 mW (843-R, 1919-R, 841-PE-USB)

10 mW (1830-R, 1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 mW (843-R, 1919-R, 841-PE-USB)

小可检测功率

20 pW (1936-R/2936-R), 100 pW (1830-R, 843-R, 1919-R, 841-PE-USB), 5 nW (1918-R)

20 pW (1936-R/2936-R), 100 pW (1830-R, 843-R, 1919-R, 841-PE-USB), 5 nW (1918-R)

5 nW

20 pW (1936-R/2936-R), 100 pW (1830-R, 843-R, 1919-R, 841-PE-USB), 5 nW (1918-R)

大功率密度

30 W/cm2

30 W/cm2

30 W/cm2

30 W/cm2

大功率密度(无衰减器)

0.2 W/cm2

3 W/cm2

3 W/cm2

3 W/cm2

大脉冲能量(有衰减器)

0.5 µJ

5 µJ

5 µJ

5 uJ

大脉冲能量(无衰减器)

0.5 nJ

5 nJ

5 nJ

5 nJ

校准不确定度(带衰减器)

±8% @ 200-219nm

±2% @ 220-349nm

±1% @ 350-949nm

±4% @ 950-1100nm

±1% @ 400-940nm, ±4% @ 941-1100nm

±5% @ 780-910nm, ±2% @ 911-1700nm, ±4% @ 1701-1800 nm

±5% @ 800-900nm, ±2% @ 901-1650nm

校准不确定度(无衰减器)

±4% @ 200-219nm

±2% @ 220-349nm

±1% @ 350-949nm

±4% @ 950-1100 nm

±1% @ 400-940nm, ±4% @ 941-1100 nm

±2% @ 780-910nm, ±2% @ 911-1700nm, ±4%@1701-1800 nm

±2% @ 800-900 nm, ±2% @ 901-1650 nm

衰减器

OD3, Detachable

OD3, Detachable

OD3, Detachable

OD3, Detachable

线性度

±0.5 %

±0.5 %

±0.5 %

±0.5 %

均匀性

±2 %

±2 %

±2 %

±2 %

上升时间

≤2 µs

≤2 µs

≤2 µs

≤2 µs

端口类型

DB15

DB15

DB15

DB15

通光孔径

10.3 mm

10.3 mm

10.3 mm

10.3 mm





特征

高质量的光电二极管


Plots of various photodiode characteristics



818 校准光电二极管传感器

Newport 使用市面上高质量的半导体探测器材料。可用的探头类型包括硅 (Si)、紫外增强的硅、锗和砷化铟镓 (InGaAs)。对于 200 - 400 nm 波长,选择 818-UV,但请注意,在衰减器打开时,400 - 1100 nm 的大可测量功率级别低至 50 mW。Newport 先进的校准工厂执行严格的校准,进一步提高了我们的探测器的精度。





宽动态范围(具有可拆卸衰减器)


Typical spectral responsivity of Newport's low power detectors



884-xx 系列 OD3 衰减器(针对每个匹配的探头进行校准并一起运输)可将本公司探头的校准光学动态范围延长三十年。我们的衰减器设计提供高损伤阈值和光谱平坦度。通过与本公司正在使用的光电二极管相关联的低 NEP,实现了更宽的动态范围。对于小于 1 mW 的输入功率,本公司建议移除衰减器(200 - 400 nm 之间 818-UV/DB 为 0.1 mW),以大化信噪比。该衰减器的通光孔径为 10.3 mm。









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