美国Rtec化学机械抛光研磨机

R-CP是世界Z通用和进的台式化学机械抛光设备（CMP），可以很好的满足您的研发需求。完全软件控制，可以对直径4英寸的晶圆和磁盘进行抛光。R-CP可检测原位摩擦力，摩擦系数，温度，下压力，磨损，声发射等，可以模拟所有的参数，如速度，负载和流量，来模仿一个大的CMP系统。


用于化学机械抛光的研究和开发的各个方面
•测试和开发各种不同的微粒，材料，浓度，氧化剂，YZ剂等的抛光液
•测试和开发不同的材料，沟槽形状，尺寸，弹性，寿命等
•测试和发展抛光垫调节装置来优化抛光垫的损耗率，修整，效率等
•开发CMP定位环材料来优化摩擦，磨损，寿命等
•测试去除率，重复性缺陷，工艺优化等，研究或开发各种应用的各种材料
•半导体方面- 铜，Ta, TaN, Al, Si, SiO, Ru, WC, solar cells, PVD, CVD, 薄膜等
•化合物半导体- 砷化镓，铟，磷化物，汞，镉
•应用生物材料- 牙，骨，钛，钢铁制品等。
•光电材料– LED，蓝宝石，红外窗口抛光激光材料，显微镜头，微光学，铌酸锂，钽酸锂，磷酸氧钛钾等。

同时实时监测及处理
•通过在晶圆垫和调节垫界面处的拥有专利的传感器，测量负载和摩擦力，
•通过在晶圆垫和调节垫界面处的拥有专利的传感器和放大器，测量接触噪声
•使用声波表征的缺陷、划痕，并在加工过程中分层
•监测流入的抛光液，抛光片表面和流出废液的温度