电子束光刻（电子束直写，电子束曝光）图形发生器（Electron Beam Lithography Pattern Generator）

仪器介绍

NanoPattern图形发生器可以与扫描电镜/聚焦离子束/扫描透射电镜/扫描探针
相结合形成灵活实用的微米纳米图形制作系统。满足当前纳米技术方面的科研需求。

为了满足客户制作大面积图形和实现快捷的图形套刻制作，可根据客户的需求配备压电马达或激光干涉仪定位的工件台：

光栅定位工件台特性：
● 驱动马达：超声马达
● 工件台行程：XY行程50×50 mm
● 曝光面积：≥30×30 mm
● 工件台测量分辨率：20 nm
● 工件台移动精度：80 nm
● 电子束自动补偿定位偏差
● 样品尺寸：≥1英寸晶片
● 拼接精度：≤140 nm
● 套刻精度：≤140 nm

激光干涉仪定位工件台特性：
● 驱动马达：超声马达
● 工件台行程：XY行程50x50 mm
● 曝光面积：≥30×30 mm
● 激光干涉仪分辨率：1 nm
● 工件台移动精度：20 nm
● 电子束自动补偿定位偏差
● 样品尺寸：≥1英寸晶片
● 拼接精度：≤40 nm
● 套刻精度：≤40 nm

如果用户希望得到专用的电子束直写系统，我们可以提供包括电子光学系统、图形发生器、激光干涉仪定位的工件台等全套的电子束直写系统。详情请垂询我公司。

可为客户提供掩膜版和微纳米图形制作和咨询服务，也可联合申请科研项目。请有需求的客户与我公司联系。

技术参数

NanoPattern图形发生器主要硬件特性
—独立的恒温抗干扰机箱
—高速数字信号处理器（DSP）
—高速度标记检测和校准图形数据处理器
—3MHz图形扫描速度
—先进、快速的数据通讯传输接口
—恒温控制的高精度16位数模转换器（D/A）
—5"液晶曝光图形跟踪显示
—图形制作调试、设计和控制用计算机（现采用Windows XP操作系统）
—独特的激光干涉仪定位样品台位置反馈和电子束补偿激光定位偏差（选用激光干涉仪定位工件台）
—电子束闸控制信号电源（选用电子束闸）
—可根据不同的SEM/FIB/STEM配置扫描转换控制信号

NanoPattern图形发生器主要软件特性
—可接受GDSII、CIF、和DXF图形数据格式
—图形设计和编辑功能。图形包括矩形、三角形、梯形、圆形、圆环、扇形和任意曲线图形
—图形制作过程控制，如电子束扫描、工件台移动、束闸通断、标记检测、套刻等
—扫描场位置、尺寸和旋转修正
—邻近效应修正
—图形描绘过程实时显示

主要特点

微纳米图形的制作已成为半导体器件、微机电系统和纳米科学等研究中的基本手段。在纳米科学的研究中，无论是自上而下还是自下而上都需要使用微纳米图形来形成具有不同功能的结构。传统的光学光刻需要掩膜版制作且分辨率低，而专用的电子束光刻机又特别昂贵。NanoPattern图形发生器可以附加在扫描电镜/扫描透射电镜/STM/FIB上来控制电子束/探针/离子束在衬底上直接制作微纳米图形，而不像普通光刻机需要先制作掩膜，并且有更高的分辨率和灵活性，又比专用的电子束光刻机经济，已经日渐成为纳米相关的科研中强有力的工具。该仪器已在中科院上海微系统所，上海应用物理所清华大学微电子所和国家纳米科学ZX安装使用。

NanoPattern图形发生器可利用扫描电镜/聚焦离子束/扫描透射电镜的外接扫描口、束流测量装置和二次电子检测输出等而使其升级获得微纳米图形制作的功能并且不损失电镜原来的任何功能。结合扫描电镜/聚焦离子束/扫描透射电镜上的其他功能如电子束闸开关、马达驱动样品台和电子光学数字控制接口则可以为图形制作增加图形的精确性和操作的方便性。