生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统

 

生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统

型号/定义：ST-DC1520_FATL
ST-(Semiconductor Test) DC (Direct current) 1520 (1500V2000A）FATL（fully auto test line）


用于大功率 IGBTs模块静态直流参数测试，生产线全自动量产测试
1500V/2000A，短路电流2500A

♦ 功能单元概览

实景照片	结构单元	说明
	基础部分	产线架构，水印*西安天光测控*水印
	伺服系统	整体系统的控制的电控系统水印*西安天光测控*水印
	输送单元	产线输送带及电机水印*西安天光测控*水印
	机械臂	通过往复运动取放被测模块水印*西安天光测控*水印
	预加热单元	加热模块水印*西安天光测控*水印
	冷却单元	同时带有风冷和水冷两套水印*西安天光测控*水印
	托盘	铝基板材质的托盘，针对DUT外观定制

♦  量产测试简述水印*西安天光测控*水印 

        “生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统”人工操作部分只有两项（被测模块的“放”和“取”）。产线启动，先由工作人员将其被测模块放置在专用托盘内。放置模块的托盘被输送带输送至预加热区域进行加热。加热后输送将其输送至测试区，由测试臂识别抓取放置测试主机的托盘（测试主机的托盘会自动弹出）。测试主机托盘收回并关闭安全门进行电测试，测试完毕，弹出托盘，被测模块被机械臂抓取送至冷却区域，冷却区域提供风冷和水冷两种方式。冷却完毕，输送带将被测模块送至成品区，等待下一步工序。水印*西安天光测控*水印 

























♦  产线测试能力水印*西安天光测控*水印 

分类	项目	基础参考	实际响应
静态	电源	高稳定性	自主电源（高度适配，扩展灵活）；
静态	电压等级	1500V	1500V（支持扩展）水印*西安天光测控*水印
静态	电流等级	2000A	2000A（支持扩展）水印*西安天光测控*水印
静态	测试时间	水印*西安天光测控*水印	单次测：5s/上臂或下臂（测试单元）；水印*西安天光测控*水印  模块测试：42s/模块，分两次测；
静态	机械动作时间		2s （设备移动；测试单元及DBC之间切换）
静态	测试产能	1000模块/D 水印*西安天光测控*水印	半自动，一次测一个上臂/下臂，换料30s, 一天按20h计算水印*西安天光测控*水印  DBC：3600/(42+30)*3=150DBC/H, 3600*20/(42+30)*3=3000DBC/D(设计一次放3个DBC) 模块：3600/(42+30) =50模块/H, (3600*20)/(42+30)= 1000模块/D
静态	切换方式 （继电器或机械切换）	水印*西安天光测控*水印	继电器切换水印*西安天光测控*水印
Handler	进出料机械控制方式	半自动 （手动放料、自动进出）	半自动（气动式夹具柜）,可以预留分选机接口；或全自动（外购全自动机械臂）水印*西安天光测控*水印  手动放料，自动进出； 高温取放戴手套；
温度	高温测试	200℃	高温支持室温到200℃，分辨率 0.1℃
温度	高温监控	Tc监测	支持Ta, Tc监测；水印*西安天光测控*水印
温度	加热方式	水印*西安天光测控*水印	设备：自带可控型恒温加热板电加热； 模块：可代购或自购温箱；
温度	升温、降温时间	水印*西安天光测控*水印	升温：20~30 min 降温：风冷20~30min; 自冷2~3h
温度	温度控制精度	水印*西安天光测控*水印	常温-125℃±1.0℃ 125℃-150℃±1.5℃ 150℃-200℃±2℃
温度	温度校准		/水印*西安天光测控*水印
夹具	DBC&模块 兼容性	切换时间小于30min	响应，设计同时放两套夹具，无需手动换置；
	其它特性	水印*西安天光测控*水印	/水印*西安天光测控*水印

♦  技术规格

分类	测试指标	典型值	西安天光测控
			测量范围	测量解析度和精度	测试条件
静态	Kelvin contact	四线开尔文接触检测	支持	/水印*西安天光测控*水印	/
静态	NTC测试 水印*西安天光测控*水印	5kΩ I=1mA	支持	/水印*西安天光测控*水印	/
静态	栅极-发射极漏电流IGES（正反）	25℃：±45nA 150℃：±60nA (VGE = ±20V)	IGE: 0-10uA	IGE测试解析度：1nA IGE测量精度：+/-2%+/-5nA VGE输出精度：+/-2%+/-0.2V	Vge: +/-5-40V VCE: 0V tp（脉宽）: 40-100ms,
静态	集电极-发射极电压BVCES 水印*西安天光测控*水印	25℃：750V 水印*西安天光测控*水印	VCE: 0-1500V	VCE测试解析度：1V VCE测量精度：+/-0.5%+/-2V ICE输出精度：+/-5% VCE输出精度：+/-1%+/-1V	VGE=0V ICE: 0.1-100mA VCE max: 100-1500V tp（脉宽）: 5-200ms
静态	集电极发射极饱和电压VCESAT 水印*西安天光测控*水印	25℃：1.45V 125℃：1.60V 150℃：1.65V （VGE = 15V; IC = 550A）	VCE: 0-10V	VCE测试解析度：1mV VCE测量精度：+/-1%+/-1mV IC输出精度：+/-3%+/-0.2A VGE输出精度：+/-2%+/-0.2V	VGE: 1-30V ICE: 2-2000A tp（脉宽）: 500us
静态	集电极-发射极截止电流ICES 水印*西安天光测控*水印	25℃：<0.5mA 125℃：<20mA 150℃：10mA （VCE=750V）	ICE: 0-300mA	ICE测试解析度：ICE*大值的0.1% ICE测量精度：+/-2%+/-10uA VCE输出精度：+/-1%+/-1V IC*大值输出精度：+/-5%	VGE=0V VCE: 100-1500V ICE max: 0.1–100mA tp（脉宽）: 5 -200ms
静态	栅极-发射极阀值电压测试VGETH	25℃：5.9V (IC=20mA) 水印*西安天光测控*水印	VGE: 0-20V	VGE测试解析度：5mV VGE测量精度：+/-1%+/-5mV IC输出精度：+/-3%+/-0.05mA	VGE=VCE ICE: 0.1mA –100mA tp（脉宽）: 2-10ms
静态	二极管压降测试VF 水印*西安天光测控*水印	25℃：1.45V 125℃：1.50V 150℃：1.50V （IF=550A） 水印*西安天光测控*水印	VEC: 0-10V	VEC测试解析度：1mV VEC测量精度：+/-1%+/-1mV IEC输出精度：+/-3%+/-0.2A	VGE=0V IEC: 2-2000A tp（脉宽）: 500us

 

♦  系统介绍

      “生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统”主要针对半导体功率器件的静态参数测试而开发设计。通过DUT适配器的转换，可实现对各种封装形式的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs 等半导体器件的静态电参数测试，包括器件、模块以及DBC衬板和晶圆。水印*西安天光测控*水印 
       设备融入了自动化及智能化的设计理念及功能，支持批量上下料并进行全自动测试。用于规模化量产可节省人力并提高测试产能，适合产线量测以及器件研发设计阶段的实验室测试，设备由主控计算机操控，测试数据自动上传以及保存。测试能力包含输出特性、转移特性、击穿特性、漏电流、阈值电压、二极管压降等。产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃水印*西安天光测控*水印 

 

产品系列

晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
动态参数（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
环境老化（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
热特性（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可测试  Si  /  SiC  /  GaN 材料的  IGBTs  /  MOSFETs  /  DIODEs  /  BJTs  /  SCRs  等功率器件