RTS-2/RTS-2A，RTS-3，RTS-4，SDY-4，RTS-8 手持式 便携式 数字式双电测 四探针测试仪 测量仪
- 型号：RTS-2/RTS-2A，RTS-3，RTS-4，SDY-4，RTS-8
- 产地：江苏 苏州市
- 供应商：苏州奇乐电子科技有限公司
- 供应商报价： 66.00￥/台
- 标签：手持式 便携式 数字式双电测 四探针测试仪 测量仪,手持式 便携式 数字式双电测 四探针测试仪 测量仪价格,手持式 便携式 数字式双电测 四探针测试仪 测量仪厂家
产品信息
| 是否提供加工定制 | 是 | 类型 | 四探针测试仪 |
| 品Pai | QL | 型号 | RTS-2/RTS-2A，RTS-3，RTS-4，SDY-4，RTS-8 |
| 测量范围 | 0.01～1999.9Ω.cm（MΩ） | 测试电压 | 方块电阻：0.1～19999Ω/□；（V） |
| 精度 | 输入阻抗：1000MΩ； 精度：±0.1% | 重量 | 350G（kg） |
价格请按型号咨询，双电测四探针测试仪供选择！RTS-2/RTS-2A型便携式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。仪器采用了新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。如有需要可加配测试台使用。本仪器广泛应用于太阳能单晶（多晶）生产厂家为硅材料的分选测试，半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。便携式四探针测试仪按测量范围可选配RTS-2型或RTS-2A型，区别：测量范围不一样。
| RTS-2测量范围 | 电阻率：0.01～1999.9Ω.cm； |
| 方块电阻：0.1～19999Ω/□； |
| RTS-2A测量范围 | 电阻率：0.001～199.99Ω.cm； |
| 方块电阻：0.01～1999.9Ω/□； |
| RTS-2恒流源 | 电流量程分为100μA、1mA两档，各档电流连续可调 |
| RTS-2A恒流源 | 电流量程分为1mA、10mA两档，各档电流连续可调 |
| 数字电压表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； |
| 分辨力：10μV； |
| 输入阻抗：>1000MΩ； |
| 精度：±0.1% ； |
| 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示； |
| 四探针探头基本指标 | 间距：1±0.01mm； |
| 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； |
| 机械游移率：≤0.3%； |
| 探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm； |
| 探针压力：5～16 牛顿(总力)； |
| 四探针探头应用参数 | (见探头附带的合格证) |
| 模拟电阻测量相对误差 | 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
| ( 按JJG508-87进行) |
| 整机测量Z大相对误差 | (用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试)≤±5% |
| 整机测量标准不确定度 | ≤5% |
| 外型尺寸 | 125mm(宽)*145mm(高)*245mm(深) |
| 标准使用环境 | 温度：23±2℃； |
| 相对湿度：≤65%； |
| 无高频干扰； |
| 无强光直射； |
RTS-3型手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。仪器采用了新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。如有需要可加配测试台使用。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。
| 测量范围 | 电阻率：0.01～1999.9Ω.cm； |
| 方块电阻：0.1～19999Ω/□； |
| 恒流源 | 电流量程分为100μA、1mA两档，两档电流连续可调 |
| 数字电压表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV； |
| 输入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%； |
| 显示：以大屏幕LCD显示读数，直观清晰；极性、超量程自动显示； |
| 四探针探头基本指标 | 间距：1±0.01mm； 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； 机械游移率：≤0.3%； |
| 探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)； |
| 四探针探头应用参数 | (见探头附带的合格证) |
| 模拟电阻测量相对误差 | 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
| ( 按JJG508-87进行) |
| 整机测量Z大相对误差 | (用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试)≤±5% |
| 整机测量标准不确定度 | ≤5% |
| 外型尺寸 | 185mm(长)*90mm(宽)*30mm(高) |
| 重量 | 350g |
| 电源 | 锂电池，一次充电可连续使用100小时； |
| 标准使用环境 | 温度：23±2℃； 相对湿度：≤65%； 无高频干扰； 无强光直射； |
RTS-4型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。
| 测量范围 | 电阻率：0.001～200Ω.cm(可扩展)； |
| 方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)； |
| 电导率：0.005～1000 s/cm； |
| 电阻：0.001～200Ω.cm； |
| 可测晶片直径 | 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； |
| 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； |
| 400mmX500mm(配S-2C型测试台)； |
| 恒流源 | 电流量程分为0.1mA、1mA、10mA、100mA四档，各档电流连续可调 |
| 数字电压表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； |
| 分辨力：10μV； |
| 输入阻抗：>1000MΩ； |
| 精度：±0.1% ； |
| 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示； |
| 四探针探头基本指标 | 间距：1±0.01mm； |
| 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； |
| 机械游移率：≤0.3%； |
| 探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm； |
| 探针压力：5～16 牛顿(总力)； |
| 四探针探头应用参数 | (见探头附带的合格证) |
| 模拟电阻测量相对误差 | 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
| ( 按JJG508-87进行) |
| 整机测量Z大相对误差 | (用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试)≤±5% |
| 整机测量标准不确定度 | ≤5% |
| 计算机通讯接口 | 并口 |
| 标准使用环境 | 温度：23±2℃； |
| 相对湿度：≤65%； |
| 无高频干扰； |
| 无强光直射； |
可选：
| 配置 | 四探针测试仪主机、S-2B型探针台、FT-201四探针探头 |
| 配置 | 四探针测试仪主机、S-2B型探针台、FT-201四探针探头、测试软件(含测控模块) |
| 配置 | 四探针测试仪主机、S-2B型探针台、FT-201四探针探头、台式电脑 |
SDY-4型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器.仪器以大规模集成电路为核心部件,采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示.应用微计算机技术，利用HQ-710E型测量数据处理器，使得测量读数更加直观、快速，并能实现晶片厚度自行修正，打印出全部预置和测量、计算数据。整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。SDY4四探针测试仪 本仪器可满足半导体材料、器件的研究生产单位对材料(棒材、片材)电阻率及扩散层、离子注入层、异型外延层和导电薄膜方块电阻测量的需要。技术指标1 测量范围: 电阻率:0.001-200Ω.cm(可扩展); 方块电阻:0.01-2000Ω/口(可扩展);2 可测晶片直径(Z大):100mm(配J-2B型手动测试台) 200mm(配J-51型手动测试台)3 恒流源:电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调.误差<±0.3%4 数字电压表:量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV显示:四位半红色发光管数字显示;极性、小数点、超量程自动显示。输入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%.5 Z大电阻测量误差(按JJG508-87进行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.6 四探针探头:间距:1±0.01mm;针间绝缘电阻≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%探针压力:TZT-9A/9B: 12-16牛顿(总力) TZT-9C/9D 5-8 牛顿(总力)7 整机不确定度:(用硅标样片测试)≤5% (0.01-180Ω.cm)8 外形尺寸:电气主机:360mm×320mm×100mm；数据处理器：300mm×210mm×105mm9 数据处理器功能:A 键盘控制测量取数,自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示出平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正;B 键盘控制数据处理,运算电阻率平均值和电阻率值Z大百分变化及平均百分变化;C 键盘控制打印全部测量数据.测量条件、Z大电阻率值、Z小电阻率值、电阻率Z大百分变化及平均百分变化。10 仪器重量：电气主机：约4kg；测试台：约10kg，数据处理器：约2.5kg11 测试环境：温度23±2℃；相对湿度≤65％；无高频干扰；无强光照射。RTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。
| 测量范围 | 电阻率：10-4～105Ω.cm(可扩展)； |
| 方块电阻：10-3～106Ω/□(可扩展)； |
| 电导率：10-5～104s/cm； |
| 电阻：10-4～105Ω； |
| 可测晶片直径 | 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； |
| 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； |
| 400mmX500mm(配S-2C型测试台)； |
| 恒流源 | 电流量程分为1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调 |
| 数字电压表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； |
| 分辨力：10μV； |
| 输入阻抗：>1000MΩ； |
| 精度：±0.1% ； |
| 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示； |
| 四探针探头基本指标 | 间距：1±0.01mm； |
| 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； |
| 机械游移率：≤0.3%； |
| 探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm； |
| 探针压力：5～16 牛顿(总力)； |
| 四探针探头应用参数 | (见探头附带的合格证) |
| 模拟电阻测量相对误差 | 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
| ( 按JJG508-87进行) |
| 整机测量Z大相对误差 | (用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试)≤±5% |
| 整机测量标准不确定度 | ≤5% |
| 计算机通讯接口 | 并口 |
| 标准使用环境 | 温度：23±2℃； |
| 相对湿度：≤65%； |
| 无高频干扰； |
| 无强光直射； |
可选：
| 配置 | 四探针测试仪主机、S-2A型探针台、FT-201四探针探头 |
| 配置 | 四探针测试仪主机、S-2A型探针台、FT-201四探针探头、测试软件(含测控模块) |
| 配置 | 四探针测试仪主机、S-2A型探针台、FT-201四探针探头、台式电脑 |
| 配置 | 四探针测试仪主机、S-2A型探针台、FT-201四探针探头、IBM笔记本电脑 |
