。衬底尺寸和类型 50-200 mm /单片 。156 mm x 156 mm太阳能硅片 。3D 复杂表面衬底 。粉末与颗粒 。多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品 。工艺温度 ：50 - 500 °C , 可选更高温度 。基片传送选件 ：气动升降（手动装载） ，预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ） 。前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 ，4根独立源管线，Z多加载6个前驱体源 。重量 ：350 kg 。尺寸： (W x H x D) 取决于选件 -Z小146 cm x 146 cm x 84 cm -189 cm x 206 cm x 111 cm 。选件 ：PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2 发生器，尾气处理器，定制设 计，手套箱集成（用于惰性气体下装载） 。验收标准 ：标准设备验收标准为 Al2O3工艺
