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磁阻传感器、位置传感器

产品信息
MS32磁阻传感器的内部结构为一个惠斯通电桥,由四个具有各向异性磁阻效应的坡莫合金电阻组成。沿着Y轴平行于芯片表面(X-Y平面)的单向磁场将产生一个输出信号。

MS32磁阻传感器,位置传感器

产品描述MS32磁阻传感器的内部结构为一个惠斯通电桥,由四个具有各向异性磁阻效应的坡莫合金电阻组成。沿着Y轴平行于芯片表面(X-Y平面)的单向磁场将产生一个输出信号。磁场开关点一般设置为Hs=1.85kA/m(几乎不受温度影响)。此外,在较大磁场范围内的特性曲线是线性的。因此,MS32对不同机械环境和磁场环境的适应性非常强。传感器采用了流行的TDFN封装。

特点:

·    传感器基于固态磁阻效应

·     单极信号输出

·     线性磁场响应

·      高灵敏度,低磁滞

·      温度补偿开关点

·     高桥路阻抗,低功耗

·      供电电压<30V

·       小型TDFN封装

行业消费电子和家用电器

产品规格书MS32

 典型应用工业/消费品/汽车领域非接触位置检测,小冲程气缸,笔记本和手机翻盖位置,门/窗开关.

 

 

 

 

 

 

 


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