Nanosensors大长径比探针AR5 AR10

Nanosensors大长径比探针AR5 AR10

对于具有高纵横比特征和侧壁角度接近90°的样品的测量，如半导体器件技术中的沟槽和接触孔，NANOSENSORS™设计了高纵横比AR5，AR5T，AR10和AR10T，显示近垂直侧壁。

所有型号均基于NANOSENSORS PointProbe Plus技术。针尖的总高度为10 - 15μm，可以对高瓦楞样品进行测量。在几微米处，呈现径向对称的高纵横比部分。半径通常为10nm（保证至少15纳米）。 n

AR10的特征

AR10的高纵横比部分长于1.5μm并且在1.5μm的高度处显示出优于10：1（通常为12：1）的纵横比。这对应于高度为1.5μm且半锥角小于2.8°时的直径小于150nm。

AR5的特征

AR5的高纵横比部分长于2μm并且在2.0μm的高度处显示出优于5：1（通常为7：1）的纵横比。这对应于高度为2μm且半锥角小于5°时的直径小于400nm。

倾斜补偿高纵横比硅探头

为了补偿由原子力显微镜头安装（通常为13°）引起的倾斜角，我们将AR5和AR10针尖分别作为倾斜校正的AR5T和AR10T版本（的高纵横比部分倾斜13°至的ZX轴）。作为倾斜校正的结果，的高纵横比部分将完全垂直于样品表面，并且能够测量深度和Z窄的特征以及附近垂直侧壁并将证明对称的成像。 n

AR10T的特征

AR10T的高纵横比部分长于1.5μm并且在1.5μm的高度处显示出优于10：1（通常为12：1）的纵横比。这对应于高度为1.5μm且半锥角小于2.8°时的直径小于150nm。的高纵横比部分倾斜13±1°，相对于的ZX轴。可根据要求提供其他倾斜角度。 n

AR5T的特征

AR5T的高纵横比部分长于2μm并且在2.0μm的高度处显示出优于5：1（通常为7：1）的纵横比。这对应于高度为2μm且半锥角小于5°时的直径小于400nm。该

的高纵横比部分相对于的ZX轴倾斜13±1°。

可以计算在所需高度处的高纵横比部分的直径，包括如下的半径：

与顶点直径的距离<+ 2x半径纵横比系数。

纵横比因子考虑了有限的半径。对于AR10，纵横比因子为12.5，对于AR5探针，纵横比因子为5.4。示例：在要求的600 nm高度，AR10的直径小于78 nm。 

支持芯片

悬臂固定在硅支撑芯片上（可在®PointProbePlus传单中的SPM探头组件示意图中看到）。作为探头的组成部分的支撑芯片设计用于操纵探针并将其固定到SPM。支撑芯片的几何尺寸非常可重复，可实现

更换探头而无需重新调整激光器。通过支撑芯片背面的对准槽与我们的对准芯片相结合，进一步改善了这一点。如果它们中的任何一个倾斜，则支撑芯片的倒角边缘避免芯片和样品之间的接触。 n

悬臂

悬臂的横截面是梯形的，这提供了几个优点。悬臂的探测器侧相当宽。这使得能够容易地调整光学系统。然而，决定弹簧常数的悬臂的平均宽度要小得多。侧的小悬臂宽度减小了悬臂的阻尼，这对于动态（非接触轻敲模式）模式下的操作是重要的。 n

材料特征

TM NANOSENSORS高纵横比SPM探针由高掺杂的单晶硅制成，具有独特的功能。硅是众所周知的半导体技术材料。