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低能量离子减薄仪 IV5/IV8

产品信息
性能特点如下:Technoorg 出品的Gentle Mill系列产品可用于*终抛光、很容易对先前在标准高能离子减薄仪上或FIB上处理过的样品进行清洁及改善性能。推荐用户选择Gentle Mill型号来进行样品制备
    产品介绍:低能量离子减薄仪 IV5/IV8 药(械)准字:无需注册证号

      性能特点如下:Technoorg 出品的Gentle Mill系列产品可用于*终抛光、很容易对先前在标准高能离子减薄仪上或FIB上处理过的样品进行清洁及改善性能。推荐用户选择Gentle Mill型号来进行样品制备
      无合成产物
      几乎无损坏 
      *佳质量的XTEM(截面透射电镜),HRTEM(高分辨透射电镜)或STEM(扫描透射电镜)样品制备。
      这些配置的离子减薄仪也可适用于对磨凹(凹坑)处理过的或薄的(< 25 μm)、平面的、被机械抛光的样品进行快速减薄。

      *主要特点:*主要特点点:Gentle Mill温和型低能离子减薄仪(型号IV5/IV8)为*先进的制备高质量TEM/FIB样品的离子减薄工作站
      *先进的低能离子源:Gentle Mill离子束工作站所用的热阴低能离子源,具有令人瞩目的专利技术。其低能量的离子束确保使表面损坏及离子束诱导的无定形物减至*小限度。独特的离子源结构允许高离子束电流密度。所有离子枪参数包括加速电压及阴电流由数字反馈回路全自动控制,但它们在样品制备过程中也可手动进行改变。离子源参数的初始值既可自动也可手动设置,并可在电脑显示屏中连续显示。
      无合成产物的样品制备:Gentle Mill在低能量离子轰击时对样品无损坏的独特能力,在应用科学及材料研究域中,给用户提供了研究合成材料及自然材料中真实纳米结构的工具。
      对TEM/FIB样品进行清洁及后处理的快速、可靠的方法
      独立用户模式,带有预编程设置的自动操作:第三代Gentle Mill 3(型号IV8)为全计算机控制,通过易使用的图形界面操作。所有减薄参数包括离子源的设置、气流量控制、其它减薄参数如样品移动及倾斜角度的设置、穿孔检测等可以被贮存,或以任意步数进行预编程。这种全自动特点减少了人为干预,可制备高质量的样品。自动终止功能为图像分析模块支持的减薄过程的光学终止(探测样品穿孔或监视样品表面形貌)。Gentle Mill 3配有软件扩展功能,可实现在线技术支持,通过网络进行即时故障侦测及问题排除。
      样品进样系统:真空装载锁定系统,可进行快速样品更换;全机械、无胶合样品装载机构;对XTEM样品特别设计的钛框架及封装技术
      可应用于工业环境研究
      专门设计,可直接用于Hitachi的FIB-STEM/TEM系统3D样品托:基于Hitachi的FIB/STEM 和Technoorg的Gentle Mill 离子束工作站,Hitachi 与Technoorg合作共同提供了个完整方案用于特定要求低损坏样品的制备。半自动和全自动的Gentle Mill型号具有低能量离子减薄及清洁能力,可用于FIB样品制备的*后步骤来去除无定形物或损坏的表面层。这些型号可允许直接插入Hitachi的3D FIB/STEM样品杆,因而样品制备时间可大大地减少。
      分类: Gentle Mill(型号为IV5),为计算机控制的标准型号;Gentle Mill 3(型号为IV8),为全自动型号;Gentle Mill Hi and Gentle Mill 3 Hi为与Hitachi FIB/STEM系统兼容的型号。

      技术参数:离子能量:100 - 2000 eV,连续可调 
      离子电流密度:*大10 mA/cm2
      离子束流:7 - 90 uA,连续可调
      离子束直径:750 - 1200 um (FWHM) 
      减薄速率:2000 eV离子能量及30度离子束入射角时,c-Si上的减薄速率为28 um/h
      样品台 
      减薄角度:0 - 45°,电子调节步长为0.1° 
      计算机控制样品平面旋转
      摇摆(0- 120°角度范围,电子调节步长为10°) 
      出众的厚度范围:涵盖TEM样品厚度(30 - 200 um)  
        

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