GDW3-LT1C GDW3-LT1C高频光电导少子寿命测试仪/高频光电寿命测试仪 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω•cm

太阳能级 硅片寿命 配已知寿命样片、配示波器

1、用途

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

2、  设备组成

2.1、光脉冲发生装置

重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜1μｓ

红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A

如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源

2.2、高频源

频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W

2.3、放大器和检波器

频率响应：2Hz～2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。

3、测量范围

可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·㎝（欧姆·厘米）

寿命值的测量范围：5～6000μｓ（微秒）