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CVD氧化硅硅基底单层二硫化钼

产品信息
  • 中文名称: CVD氧化硅硅基底单层二硫化钼

    英文名称:
    Single Layer MoS2 on SiO2/Si

    CAS号:1317-33-5

    包  装: 1 盒

    保质期:  6月常温干燥避光

    性  质

    形  态:
    薄膜

    参  数

    基  底:
    二氧化硅/硅

    基底尺寸: 8 mm*6 mm

    氧化层: 300nm

    片径范围: 20-50 μm

    厚  度: 0.6~0.8 nm

    应  用: 酶联生物推出CVD法制备的单层二硫化钼,相比较锂插层制备的单层二硫化钼,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询
    温馨提示:不可用于临床ZL。
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