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EVG610 单面/双面掩模对准光刻机 微流控 纳米压印

产品信息
价格区间 面议 仪器种类 微流控芯片系统
应用领域 YL/卫生,能源,电子/电气/通讯/半导体,航空航天,综合

EVG®610(单面/双面掩模对准光刻机 微流控 纳米压印)是一款紧凑型多功能研发系统,可处理零碎片和200 mm的晶圆。

 

EVG610(单面/双面掩模对准光刻机 微流控 纳米压印)支持各种标准光刻工艺,如真空,硬,软接触和接近式曝光模式,可选择背部对准方式。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工,以满足不断变化的用户需求,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户,非常适合大学和研发应用。

 

应用:

MEMS,RF器件,功率器件,化合物半导体等方面的图形光刻应用。

 

特征

     晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸

     顶部和底部对准功能

     高精度对准

     自动楔形补偿序列

     电动的和程序控制的曝光间隙

     支持先进的UV-LED技术

     Z小化系统占地面积和设施要求

     分步流程指引

     远程技术支持

     多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同语言)

     敏捷的处理和转换重新加工

     台式或独立式带防振花岗岩台面

     附加功能:

         键合对准

         红外对准

         纳米压印光刻(NIL)

 

【技术参数】

 

1.掩模版-基板-晶圆尺寸

掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸

基片/晶圆尺寸:100mm/150mm/200mm

晶圆厚度:高达10mm

 

2.对准模式

顶部对准精度:≤ ± 0,5 µm

底部对准精度:≤ ± 2,0 µm

红外对准模式:≤ ± 2,0 µm/取决于基片的材料

 

3.顶部显微镜

移动范围1:100mm(X轴:32-100mm;Y轴:-50/+30mm;)

移动范围2:150mm(X轴:32-150mm;Y轴:-75/+30mm;)

移动范围1:200mm(X轴:32-200mm;Y轴:-100/+30mm;)

可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度

 

4.底部显微镜

移动范围1:100mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)

移动范围2:150mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)

移动范围1:200mm(X轴:30-100mm;Y轴:±12mm;)

可选:平坦的物镜可以增加光程;带有环形灯的暗场物镜,可以增加对比度

 

5.曝光器件

(1)波长范围:

NUV:350 - 450 nm

DUV:低至200 nm (可选)

(2)光源:

汞灯350W , 500W UV LED灯

(3)均匀性:

150mm:≤ 3%

200mm:≤ 4%

(4)滤光片:

汞灯:机械式

UV LED:软件可调

 

6.曝光模式

接触:硬、软接触,真空

曝光间隙:1 - 1000 µm

线宽精度:1µm

模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

可选:内部,浸入,扇形

 

7.可选功能

键合对准精度:≤ ± 2,0 µm

纳米压抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm

纳米压抑光刻(NIL)软印章分辨率:≤ 50 nm图形分辨率

 

8.设施

真空:< 150 mbar

压缩气体:6 bar

氮气:可选2或者6 bar

排气要求:汞灯需要;LED不需要

 

9.系统方式

系统:windows

文件分享和软件备份

无限程序储存,参数储存在程序内

支持多语言,含中文

实时远程支持,诊断和排除故障

 

10.楔形补偿

全自动- 软件控制

 

11.规格(单面/双面光刻机 微流控加工 掩模对准

占地面积:0.55m²

高度:1.01m

重量:约250kg

 

纳米压印分辨率:≤ 40 nm(取决于模板和工艺)

支持工艺:Soft UV-NIL

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