分子束外延-激光分子束外延-Laser MBE2100

分子束外延的英文缩写为MBE，这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性，可对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。美国PVD公司有多年的MBE设备制造经验，我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括：温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。系統配置：双晶圆装载锁定附加MFC特高压选项低于5×10-9底压力法兰安装磁控溅射源与DC或RF电源光纤耦合高温计法兰安装离子源法兰安装原子的氧，氮，或氢源法兰安装积液细胞高压RHEED包与数据采集RF偏置基材为基材预清洁和反应性气体形成准分子激光封装，气柜及报警系统Nd：YAG，FS和ps激光包更多关于Laser MBE产品信息：联系人：肖先生手机：15018538692 0755-27696922-8011座机：0755-26510992