Raith 150 Two作为高分辨电子束曝光系统，自推出以来销量不容忽视。该系统被广泛地用于研发和纳米技术ZX，已证明了系统的24/7使用的稳定性。
Raith 150 Two可实现亚5nm的曝光结构，可处理8”晶元及以下样片。
环境屏蔽罩保证了系统的热稳定性，提高设备对实验室环境的容忍度，即使在相对糟糕的实验室环境下，也能保证系统的正常稳定运行。
00001. 小于8nm曝光
00002. 低电压曝光及成像
00003. 系统自动化程度高
00004. 可处理8"样片
00005. 隔墙安装 / 热稳定性
软硬件的高自动化程度保障了小批量生产中进行简单且可重复性的曝光工作。
Raith 150 Two 高分辨的电子光学柱结合多种探测器可实现对准标记识别和过程控制中前所未有的灵活性。
· 型栅高电子迁移率晶体管器件
· 胶上制作亚4.5nm线条
· 采用traxx长线条无写场拼接曝光模式制作延迟波导结构
· 厚胶上制作三维菲涅尔透镜阵列结构
· 胶上制作精细的11nm线条
· 胶上制作60nm周期光栅结构
主要应用:
· 纳米级光刻
· 高分辨成像
· 低电压电子束光刻
样品台:
· 完整的6“ 移动范围
· Z轴移动范围大
电子枪技术:
· Gemini
· 电子
· 30 kV
· Inlense二次电子探测器
· 能量选择背散射二次电子探测器（选配）
独特直写模式:
· traxx长线条无写场拼接曝光模式
· periodixx周期结构无写场拼接曝光模式
型栅高电子迁移率晶体管器件
胶上制作亚4.5nm线条
采用traxx长线条无写场拼接曝光模式制作延迟波导结构
厚胶上制作三维菲涅尔透镜阵列结构
胶上制作精细的11nm线条
胶上制作60nm周期光栅结构